Установка экспонирования фоточувствительных паст Hibridas Muckett MA-XK

Задать вопрос

При необходимости получения линий высокого разрешения (ширина линии от 10 мкм) по толстопленочной технологии, т.е., без использования дорогостоящих процессов напыления, используются фотопроявляемые пасты. Установка экспонирования использует стандартный стеклянный фотошаблон, аналогичный используемым в микроэлектронике, для активации фотопроявляемой пасты на определенных участках. 

Семейство установок экспонирования MA состоит из трех базовых моделей, рассчитанных на три типоразмера фотошаблона. Подложка с нанесенной на нее фоточувствительной пастой помещается на рабочий стол с вакуумным прижимом. для совмещения с фотошаблоном служит стереомикроскоп (опция) и микрометрические винты держателя фотошаблона.

Базовая установка имеет в составе источник мощного УФ-излучения для экспонирования фоточувствительных паст, длина волны 320 - 400 nm, мощность 1200 Вт, не образующий озона. Заслонка системы экспонирования с таймером для управления степенью засветки подложки программируется в интервале 1 ... 99.9 с. Максимальная область экспонирования от 101 x 101 мм (модель МА-4К) до 250 х 250 мм (МА-10К). Горячее зеркало служит для минимизации воздействия ИК части спектра на подложку. Установка обеспечивает простой доступ к источнику излучения для замены ламп.

Рабочий стол-держатель подложки с вакуумным прижимом.

Стол совмещения фотошаблона расположен в сдвижном модуле. Держатель шаблона с вакуумным прижимом, подходит для стеклянных и пленочных фотошаблонов. Система совмещения имеет точность ±5 мкм, обеспечивающая контактный метод наложения шаблона и подложки.

Установка программируется управляющим контроллером, обеспечивающим установку параметров работы, работу установки в цикличном режиме, предупреждения о возможных ошибках и отображение информации на ЖК-индикаторе. 

Особенности

• Экспонирование в мощном УФ-излучении
• Управления степенью засветки подложки в интервале 1 до 99.9 с заслонкой системы экспонирования с таймером
• Использование горячего зеркала для минимизации воздействия ИК части спектра на подложку
• Простой доступ к источнику излучения
• Вакуумным прижим шаблона
• Точность ±5 мкм